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本文标题:"电子显微镜分辨率高,但观察的试样范围小"

发布者:yiyi ------ 分类: 行业动态 ------ 人浏览过-----时间:2016-3-12 1:31:51

电子显微镜分辨率高,但观察的试样范围小

 
形核过程
    再结晶的形核是一个比较复杂的过程,这一过程可能从几十
个或几百个原子范围的微观尺度开始发生,并常常局限于变形基
体的某些局部。从实验角度来讲,光学显微镜的分辨率不够大,且
不便确定晶粒的取向;而电子显微镜分辨率高,但观察的试样
范围又很小。因此,人们难于捕捉到再结晶形核过程的起始行为。
金属再结晶形核的理论至今还很不完善,尚有不同的理论来描述
这一过程。
经典形核理论
    经典形核理论认为,在变形结构中借助点阵结构的能量起伏
可以形成具有长大能力的核。这电是所谓的均匀形核或自发形核
过程。在这一过程中,一方面由于低位错密度结构的形成使自由
能降低;另一方面由于生成的新核与基体的界面又使自由能升高。
 
上述分析表明再结晶的形核过程不可能是经典的自发形核过
程,但是经典形核理论提供了一个临界核尺寸的概念,即再结晶
核必须大于某一尺寸才能自发生长。由于能量起伏实际不能造成
再结晶核,因此,人们不得不设想大于临界尺寸的再结晶核已存
在于变形基体内。
 
晶界形核(应变诱发晶界移动)
    解释再结晶形核过程通常要说明再结晶核与变形基体之间是
怎样形成可动性好的大角度晶界的。变形金属通常是多晶体,因
此常常会有许多大角度晶界。由于各晶粒取向的差别,当冷变形
量很低时不同取向的晶粒所经受的变形量可能不同,因而它们的
位错密度会有所差别。一晶界两侧位错密度的这种差别在一定条
件下会造成该晶界向高位错密度一侧移动。当变形量较高时,则
大角度晶界两侧的位错密度没有本质区别,因而不会出现上述驱
使晶界单向移动的驱动力。如果大角度晶界两侧的晶体由于取向
或其它因素的影响,在回复过程中进行了不同的结构调整从而造
成了位错密度上的差异,则驱使晶界单向移动的驱动力也会因此
    而产生,进而造成了再结晶核的形成。
 

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电子显微镜分辨率高,但观察的试样范围小,金相显微镜现货供应


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